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2011考研上海交大半导体物理与器件基础真题

2011-01-25 11:04       来源:中国在职研究生网    http://www.zzyjs.com

2011年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来,难免有所疏漏,仅供参考。

一、

1.半导体能带形成原因

2.绝缘体 导体 半导体 能带图

3.算一个半导体的吸收限

二、算扩散电流

三、

1.基区宽度调变效应

2.根据基区宽度调变效应的计算

四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数

五、算mos管的跨导

六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化

七、算有效阈值电压与阈值电压的差值


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